เป่าจี้ เมือง ฉางเซิง ไทเทเนียม จำกัด

เป้าโลหะที่มีความบริสุทธิ์สูงแบบหลายส่วนโค้ง

เป้าโลหะที่มีความบริสุทธิ์สูงแบบหลายส่วนโค้ง

เป้าโลหะหลายส่วนโค้ง,เป้าโลหะกลมและโลหะผสม
วัสดุ: เป้าไททาเนียม, เป้าโลหะผสม TiAl, Mo, Zr, Ta, Nb, NbZr, Ni, Si, Sn, NiGr(8:2)
ความบริสุทธิ์: 2N5 ถึง 4N
เทคโนโลยีการแปรรูป : การหลอม การตีขึ้นรูป และการกลึง HIP
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

การแนะนำสินค้า

เป้าหมายทรงกลมหลายส่วนโค้งที่ทำจากโลหะและโลหะผสม

1.ความบริสุทธิ์: 2N8,3N,3N5.4N,4N5,5N

2.เทคนิคและพื้นผิว: หลอม เจียร พื้นผิวมันวาว HIP

3. รูปแบบ/รูปทรง: วงกลม / ระนาบ / ท่อ / กลม / แผ่น / ท่อ สั่งทำตามแบบ

4.ขนาด:

เส้นผ่านศูนย์กลางกลม : 60~1000mm, ความหนา : 10~1500mm

ความหนาของแผ่น (15~30)*ความกว้าง (50~1500)*ความยาว (100~2000) มม.

ท่อ OD: 20~300 มม., ความหนา: 5~60 มม., ความยาว: 50~2000 มม.

อื่นๆที่เกี่ยวข้อง

วัสดุเป้าหมายโลหะแบน/กลมที่มีความบริสุทธิ์สูง 99.99% ถึง 99.995 เป้าหมายสปัตเตอร์โครเมียม Cr

โลหะ: Ti, Ni, Cu, Co, Cr, Al, Fe, V, Zn, Sn, W, Mo,Ta, Nb, Zr, Hf, Ge, Bi, Sb, Mg, Mn และอื่นๆ

เป้าหมายโลหะผสม: Mo, Zr, Ta,Nb, NbZr, Ni,Si,Sn, NiGr(8:2), NiGr(95:5),NiV, NiCu, NiCr, NiFe, TiAl, AlCr, SiAl, CoFe,CoCr, VFe, TiCr, TiV, NiTi, NbTi, WTi, WCu, SiGe, CoTaZr, CuNiMn และอื่นๆ โลหะผสมพิเศษต่างๆ สามารถปรับแต่งได้

เป้าหมายธาตุหายาก: Sc, Y, La, Ce, Gd, Tb, Dy, Nd, Sm, Er, Tm, Yb และอื่นๆ สามารถปรับแต่งโลหะผสมอื่นๆ ได้

โลหะที่มีความบริสุทธิ์สูง: Ni, Ti, Al, V, Co, Cu, Ta, Nb, W, Mo, Cr, Ag, Au และอื่นๆ

เบ้าหลอมโลหะ: W, Mo, Ta, Nb, Cu และอื่นๆ
กรวยโลหะ: Ni, Ti, Co, Cr, Ta, Nb, W, Mo และอื่นๆ

แอปพลิเคชัน

เป้าหมายหมายถึงแหล่งสปัตเตอร์ที่สามารถสปัตเตอร์ฟิล์มบางที่มีฟังก์ชันต่างๆ บนพื้นผิว (แก้ว, PET เป็นต้น) ภายใต้สภาวะกระบวนการที่เหมาะสมผ่านการสปัตเตอร์แมกนีตรอน, การชุบไอออนแบบหลายอาร์ค หรือระบบเคลือบอื่นๆ

ระบบสปัตเตอร์แมกนีตรอนจะวางแม่เหล็กที่มีพลังแบบเกาส์เซียนไว้ด้านหลังเป้าหมายเชิงลบ และห้องสูญญากาศจะเต็มไปด้วยก๊าซเฉื่อย (Ar) ในปริมาณหนึ่งเป็นตัวพาประจุ ภายใต้การกระทำของแรงดันสูง อะตอมของ Ar จะแตกตัวเป็นไอออนเป็นไอออนของ Ar+ และอิเล็กตรอน ส่งผลให้เกิดการปลดปล่อยแสงพลาสม่า ในระหว่างที่แมลงวันเร่งความเร็วไปยังพื้นผิว อิเล็กตรอนจะได้รับผลกระทบจากสนามแม่เหล็กที่ตั้งฉากกับสนามไฟฟ้า ซึ่งจะเบี่ยงเบนอิเล็กตรอนและผูกติดกับพื้นผิวใกล้เป้าหมาย ในบริเวณพลาสม่า อิเล็กตรอนจะเคลื่อนที่ไปตามพื้นผิวเป้าหมายในลักษณะเกลียว และชนกับอะตอมของ Ar อย่างต่อเนื่องระหว่างการเคลื่อนที่ ทำให้ไอออนของ Ar+ แตกตัวเป็นไอออนจำนวนมาก หลังจากการชนกันหลายครั้ง พลังงานของอิเล็กตรอนจะค่อยๆ ลดลง ทำให้เส้นแรงแม่เหล็กหายไป และสุดท้ายก็ตกบนพื้นผิว ผนังด้านในของห้องสูญญากาศ และแหล่งกำเนิดเป้าหมาย

ป้ายกำกับยอดนิยม:

คุณอาจชอบ

(0/10)

clearall